NICMOS3の各パラメータとOASIS実装時の諸性能


NICMOS3のパラメータ

形式 HgCdTe (水銀・カドミウム・テルル)
読みだし方式 DRO(Direct Read Out)
画素数 256×256 pixel
画素サイズ 40μm
波長域 1〜2.5μm

OASIS実装時の諸性能

読みだしシステム MESSIA II + Kataza board
ADゲイン (Conversion Factor) 1 ADU = 17.1 e-
読みだしノイズ 1.7ADU(=29e-)(実験室)
2〜5ADU(=34〜86e-)(実装時)
暗電流(Dark Current) 0.13e-/sec(@72K)
0.48e-/sec(@80K)
3.3e-/sec(@90K)
飽和レベル(Full Well) 11600ADU = 198000e- (@80K)
直線性(Linearity) 99%以上
(Full Wellの50%=6000ADU以下で)
入出力線形性 γ=0.998
量子効率 46.5% (J)
59.9% (H)
69.8% (K')
(80Kでの値。温度により変動)
最適動作温度 80〜95K(撮像)
80K(分光)
残像 約1%
(時定数の長い成分(数10分)あり)
Pixel Scale 0.97秒角
視野 約4分角
詳しいレポートは こちら

奥村真一郎
国立天文台 岡山天体物理観測所